高濕度實(shí)際上減小了無(wú)塵車(chē)間、潔凈室表面的靜電荷積累，較低的濕度比較適合電荷的積累并成為潛在的具有破壞性的靜電釋放源。
　　當相對濕度超過(guò)50%時(shí)，靜電荷開(kāi)始迅速消散，但是當相對濕度小于30%時(shí)，它們可以在絕緣體或者未接地的表面上持續存在很長(cháng)一段時(shí)間。
　　相對濕度在35%到40%之間可以作為一個(gè)令人滿(mǎn)意的折中，半導體無(wú)塵車(chē)間、潔凈室一般都使用額外的控制裝置以限制靜電荷的積累。
　　到目前為止，在半導體無(wú)塵車(chē)間、潔凈室中最迫切需要適當控制的是光刻膠的敏感性。由于光刻膠對相對濕度極為敏感的特性，它對相對濕度的控制范圍的要求是最嚴格的水準。
　　實(shí)際上，相對濕度和溫度對于光刻膠穩定性以及精確的尺寸控制都是很關(guān)鍵的。甚至是在恒溫條件下，光刻膠的粘性將隨著(zhù)相對濕度的上升而迅速下降。當然，改變粘性，就會(huì )改變由固定組分涂層形成的保護膜的厚度。參考兩個(gè)城市，一個(gè)試驗證實(shí)，相對濕度的3%的變異將使保護厚度改變59.2A。
　　此外，在高的相對濕度環(huán)境下，由于水分的吸收，使烘烤循環(huán)后光刻膠膨脹加重。光刻膠附著(zhù)力同樣也可以受到較高的相對濕度的負面影響;較低的相對濕度(約30%)使光刻膠附著(zhù)更加容易，甚至不需要聚合改性劑，如六甲基二硅氮烷(HMDS)。
　　標簽：貼合無(wú)塵車(chē)間